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Early-life drift mechanism investigation of 150nm GaN-on-SiC HEMT RF under accelerated DC test

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Groupe de physique des matériaux (GPM); Université de Rouen Normandie (UNIROUEN); Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA); Université de Caen Normandie (UNICAEN); Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN); Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN); Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN); Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN); Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); United Monolithic Semiconductors SAS (UMS); Université de Bordeaux, ADERA
    • بيانات النشر:
      CCSD
    • الموضوع:
      2025
    • Collection:
      HAL-CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
    • الموضوع:
      Bordeaux; France
    • نبذة مختصرة :
      31 Paper submission number : 31 ; International audience ; This work investigates the initial electrical parameter drift in 150 nm gate-length GaN-on-SiC HEMTs subjected to DC high-temperature operating life stress for up to 96 hours at multiple baseplate temperatures. Junction temperature was estimated to assess the actual operating temperature of the device under stress conditions. A transient current IDS drift was observed, evolving differently with temperature. Electrical characterizations revealed threshold voltage shifts associated with trap dynamics. Drain-lag (DL) increased while gate-lag (GL) remained stable, indicating a dominant role of buffer traps over surface effects. Schottky diode analysis showed no significant gate degradation, suggesting that bulk-related trapping mechanisms are the main contributors to electrical shifts
    • الدخول الالكتروني :
      https://hal.science/hal-05323093
      https://hal.science/hal-05323093v2/document
      https://hal.science/hal-05323093v2/file/Early-life%20drift%20mechanism%20investigation%20of%20150nm%20GaN-on-SiC%20HEMT%20RF%20under%20accelerated%20DC%20test_v2.pdf
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.B02B8488