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Dissertation/ Thesis

Croissance épitaxiale de Germanium et de matériaux III-V sur des substrats de Germanium mésoporeux, pour des applications photovoltaïques

Subjects: Ge homoepitaxy; III-V heteroepitaxial growth; Ge electrochemical etching

  • Source: https://hal.science/tel-04676756 ; Sciences de l'ingénieur [physics]. Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2024. Français. ⟨NNT : ⟩.

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