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Geographic : toulouse Subject : cfd فلترة بواسطة : موضوع
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Conference

Simulation multi-échelles des phénomènes de nucléation/croissance de nanocristaux de silicium sur SiO2 par LPCVD

Subjects: LPCVD; Silicon; NanodotsToulouse; France

  • Source: JMC10 : 10èmes Journées de la Matière Condensée ; https://hal.science/hal-04105846 ; JMC10 : 10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France.

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Simulation multi-échelles des phénomènes de nucléation/croissance de nanocristaux de silicium sur SiO2 par LPCVD

Subjects: LPCVD; Silicon; NanodotsToulouse; France

  • Source: JMC10 : 10èmes Journées de la Matière Condensée ; https://hal.science/hal-04105846 ; JMC10 : 10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France.

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Simulation multi-échelles des phénomènes de nucléation/croissance de nanocristaux de silicium sur SiO2 par LPCVD

Subjects: LPCVD; Silicon; NanodotsToulouse; France

  • Source: JMC10 : 10èmes Journées de la Matière Condensée ; https://hal.science/hal-04105846 ; JMC10 : 10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France.

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Simulation multi-échelles des phénomènes de nucléation/croissance de nanocristaux de silicium sur SiO2 par LPCVD

Subjects: LPCVD; Silicon; NanodotsToulouse; France

  • Source: JMC10 : 10èmes Journées de la Matière Condensée ; https://hal.science/hal-04105846 ; JMC10 : 10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France.

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Conference

Modélisation multi-échelle du comblement par LPCVD de tranchées profondes pour la fabrication de nouveaux composants de puissance

Subjects: LPCVD; Silicium; SilaneToulouse; France

  • Source: 10ème Congrès de la Société Française de Génie des Procédéshttps://hal.science/hal-0410473210ème Congrès de la Société Française de Génie des Procédés, Sep 2005,

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Modélisation multi-échelle du comblement par LPCVD de tranchées profondes pour la fabrication de nouveaux composants de puissance

Subjects: LPCVD; Silicium; SilaneToulouse; France

  • Source: 10ème Congrès de la Société Française de Génie des Procédéshttps://hal.science/hal-0410473210ème Congrès de la Société Française de Génie des Procédés, Sep 2005,

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Modélisation multi-échelle du comblement par LPCVD de tranchées profondes pour la fabrication de nouveaux composants de puissance

Subjects: LPCVD; Silicium; SilaneToulouse; France

  • Source: 10ème Congrès de la Société Française de Génie des Procédéshttps://hal.science/hal-0410473210ème Congrès de la Société Française de Génie des Procédés, Sep 2005,

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