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Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash ; Advanced plasma etching process study perfomed by Atomistic Simulation : application to Flash memories' ONO layer etching

• Authors : Pinzan, Florian;

Subjects: Physique; Plasma; Dynamique moléculaire620

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Advanced plasma etching process study perfomed by Atomistic Simulation : application to Flash memories' ONO layer etching ; Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash

• Authors : Pinzan, Florian;

Subjects: Ono; Simulation; Microelectronics

• Source: https://theses.hal.science/tel-03359242 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2021. Français. ⟨NNT : 2021GRALT035⟩.

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Advanced plasma etching process study perfomed by Atomistic Simulation : application to Flash memories' ONO layer etching ; Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash

• Authors : Pinzan, Florian;

Subjects: Ono; Simulation; Microelectronics

• Source: https://theses.hal.science/tel-03359242 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2021. Français. ⟨NNT : 2021GRALT035⟩.

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Advanced plasma etching process study perfomed by Atomistic Simulation : application to Flash memories' ONO layer etching ; Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash

• Authors : Pinzan, Florian;

Subjects: Ono; Simulation; Microelectronics

• Source: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03359242 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2021. Français. ⟨NNT : 2021GRALT035⟩.

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Plasma etch processes for the realization of vertical structures for the new generation of GaN based Schottky diodes ; Procédés de gravure plasma pour la réalisation de structures verticales de diodes Schottky de nouvelle génération à base de GaN

• Authors : Gosset, Nicolas;

Subjects: GaN; Etching; Plasma

• Source: https://theses.hal.science/tel-02003623 ; Physique des plasmas [physics.plasm-ph]. Université d'Orléans, 2016. Français. ⟨NNT : 2016ORLE2076⟩.

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Procédés de gravure plasma pour la réalisation de structures verticales de diodes Schottky de nouvelle génération à base de GaN ; Plasma etch processes for the realization of vertical structures for the new generation of GaN based Schottky diodes

• Authors : Gosset, Nicolas;

Subjects: GaN; Gravure; Plasma

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Plasma etch processes for the realization of vertical structures for the new generation of GaN based Schottky diodes ; Procédés de gravure plasma pour la réalisation de structures verticales de diodes Schottky de nouvelle génération à base de GaN

• Authors : Gosset, Nicolas;

Subjects: GaN; Etching; Plasma

• Source: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02003623 ; Physique des plasmas [physics.plasm-ph]. Université d'Orléans, 2016. Français. ⟨NNT : 2016ORLE2076⟩.

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Développement et caractérisation de procédés de gravure plasma de T.S.V (Through Silicon Via) pour l'intégration tridimensionnelle de circuits intégrés ; Development and characterization of plasma etch processes for TSV (Through Silicon Via) for Integration of Three-Dimensional Integrated Circuits

• Authors : Avertin, Sébastien;

Subjects: Gravure profonde; Plasma; Microélectronique

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Etude et développement de procédés de gravure plasma de HfO2 pour l'élaboration de transistors CMOS sub-45 nm

• Authors : Sungauer, Elodie;

Subjects: etching; metal gate; HfO2

• Source: https://theses.hal.science/tel-00370202 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Joseph-Fourier - Grenoble I, 2009. Français. ⟨NNT : ⟩.

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Etude et développement de procédés de gravure plasma de HfO2 pour l'élaboration de transistors CMOS sub-45 nm

• Authors : Sungauer, Elodie;

Subjects: etching; metal gate; HfO2

• Source: https://theses.hal.science/tel-00370202 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Joseph-Fourier - Grenoble I, 2009. Français. ⟨NNT : ⟩.

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