Source: 2021 16th International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS)https://hal.science/hal-035023602021 16th International Conference on Design &

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Conference

Benchmarking and optimization of trench-based multi-gate transistors in a 40 nm non-volatile memory technology

Authors : Gay, Romeric; Marca, Vincenzo Della; Aziza, Hassen ...

Subjects: Multi-gate; Triple gate transistor; Dual gate transistorMontpellier; France

Source: 2021 16th International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS)https://hal.science/hal-035023602021 16th International Conference on Design &

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Conference

Benchmarking and optimization of trench-based multi-gate transistors in a 40 nm non-volatile memory technology

Authors : Gay, Romeric; Marca, Vincenzo Della; Aziza, Hassen ...

Subjects: Multi-gate; Triple gate transistor; Dual gate transistorMontpellier; France

Source: 2021 16th International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS)https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-035023602021 16th International Conference on

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Academic Journal

Tunnel FETs for ultra low Power Nanoscale Devices

Authors : Balestra, Francis;

Subjects: Subthreshold swing; Tunnel FET; Multi-gate

Source: Composants nanoélectroniques ; https://hal.science/hal-02003032 ; Composants nanoélectroniques, 2018, 18 (1), ⟨10.21494/ISTE.OP.2018.0219⟩

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Dissertation/ Thesis

Study of electrical characteristics of tri-gate NMOS transistor in bulk technology ; Étude des caractéristiques électriques d'un transistor à trois grilles réalisé en CMOS avec l'intégration de tranchées capacitives

Authors : Zbierska, Inga Jolanta;

Subjects: Pompage de charges à deux et à trois niveaux; Simulations TCAD; Méthode du split C-V

Source: https://theses.hal.science/tel-01147293 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Claude Bernard - Lyon I, 2014. English. ⟨NNT : 2014LYO10282⟩.

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Dissertation/ Thesis

Study of electrical characteristics of tri-gate NMOS transistor in bulk technology ; Étude des caractéristiques électriques d'un transistor à trois grilles réalisé en CMOS avec l'intégration de tranchées capacitives

Authors : Zbierska, Inga Jolanta;

Subjects: Pompage de charges à deux et à trois niveaux; Simulations TCAD; Méthode du split C-V

Source: https://theses.hal.science/tel-01147293 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Claude Bernard - Lyon I, 2014. English. ⟨NNT : 2014LYO10282⟩.

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Dissertation/ Thesis

Study of electrical characteristics of tri-gate NMOS transistor in bulk technology ; Étude des caractéristiques électriques d'un transistor à trois grilles réalisé en CMOS avec l'intégration de tranchées capacitives

Authors : Zbierska, Inga Jolanta;

Subjects: Pompage de charges à deux et à trois niveaux; Simulations TCAD; Méthode du split C-V

Source: https://theses.hal.science/tel-01147293 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Claude Bernard - Lyon I, 2014. English. ⟨NNT : 2014LYO10282⟩.

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Dissertation/ Thesis

Study of electrical characteristics of tri-gate NMOS transistor in bulk technology ; Étude des caractéristiques électriques d'un transistor à trois grilles réalisé en CMOS avec l'intégration de tranchées capacitives

Authors : Zbierska, Inga Jolanta;

Subjects: Pompage de charges à deux et à trois niveaux; Simulations TCAD; Méthode du split C-V

Source: https://theses.hal.science/tel-01147293 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Claude Bernard - Lyon I, 2014. English. ⟨NNT : 2014LYO10282⟩.

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Dissertation/ Thesis

Study of electrical characteristics of tri-gate NMOS transistor in bulk technology ; Étude des caractéristiques électriques d'un transistor à trois grilles réalisé en CMOS avec l'intégration de tranchées capacitives

Authors : Zbierska, Inga Jolanta;

Subjects: Simulations TCAD; Pompage de charges à deux et à trois niveaux; Méthode du split C-V

Source: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01147293 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Claude Bernard - Lyon I, 2014. English. ⟨NNT : 2014LYO10282⟩.

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Dissertation/ Thesis

Study of ultra short multiple gate MOSFETs on SOI using Monte Carlo Simulation ; ETUDE PAR SIMULATION MONTE CARLO D'ARCHITECTURES DE MOSFET ULTRACOURTS A GRILLE MULTIPLE SUR SOI

Authors : Saint-Martin, Jérôme;

Subjects: MOSFET; Simulation Monte Carlo; Multigrille

Source: https://theses.hal.science/tel-00011335 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paris Sud - Paris XI, 2005. Français. ⟨NNT : ⟩.

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