Subjects: memorias, SRAM, 6T, 8T, CMOS, robustez, radiación, tolerancia, mitigación, soft error, single event upset, SEU, single event effect, SEE, SER, carga crítica, Qcrit, diseño, layout, partículas alfa, estabilidad, SNM, MBU, MCU; memories, SRAM, 6T, 8T, CMOS, robustness, radiation, tolerance, mitigation, soft error, single event upset, SEU, single event effect, SEE, SER, critical charge, Qcrit, design, layout, alpha particles, stability, SNM, MBU, MCU; memòries, SRAM, 6T, 8T, CMOS, robustesa, radiació, tolerància, mitigació, soft error, single event upset, SEU, single event effect, SEE, SER, càrrega crítica, Qcrit, disseny, layout, partícules alfa, estabilitat, SNM, MBU, MCU
-
Source:
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
-
تفاصيل العنوان