Source: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-00152087 ; Journal of Crystal Growth, 2001, 227-228, pp.255-259. ⟨10.1016/S0022-0248(01)00693-5⟩.

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Academic Journal

Growth of strained Ga 1-x In x P layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy: similarities and differences with the growth of strained arsenides

Authors : Wallart, X.; Deresmes, D.; Mollot, F.

Subjects: Surfaces; Molecular beam Epitaxy; Phosphides

Source: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-00152087 ; Journal of Crystal Growth, 2001, 227-228, pp.255-259. ⟨10.1016/S0022-0248(01)00693-5⟩.

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Dissertation/ Thesis

Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET ; Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité

Authors : Cerba, Tiphaine;

Subjects: III-V materials; Trigate; Nanowires

Source: https://theses.hal.science/tel-02092576 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT082⟩.

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Dissertation/ Thesis

Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET ; Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité

Authors : Cerba, Tiphaine;

Subjects: III-V materials; Trigate; Nanowires

Source: https://theses.hal.science/tel-02092576 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT082⟩.

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Dissertation/ Thesis

Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET ; Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité

Authors : Cerba, Tiphaine;

Subjects: Nanowires; III-V materials; Trigate

Source: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02092576 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT082⟩.

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Dissertation/ Thesis

Metalorganic vapour phase epitaxy of III-As semiconductors on silicon substrate and formation of ohmic contacts for photonic and radiofrequency applications on silicon ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium

Authors : Alcotte, Reynald;

Subjects: Heteroepitaxy; Semiconductors III-V; Silicon

Source: https://theses.hal.science/tel-01844072 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT005⟩.

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Dissertation/ Thesis

Metalorganic vapour phase epitaxy of III-As semiconductors on silicon substrate and formation of ohmic contacts for photonic and radiofrequency applications on silicon ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium

Authors : Alcotte, Reynald;

Subjects: Heteroepitaxy; Semiconductors III-V; Silicon

Source: https://theses.hal.science/tel-01844072 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT005⟩.

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Dissertation/ Thesis

Metalorganic vapour phase epitaxy of III-As semiconductors on silicon substrate and formation of ohmic contacts for photonic and radiofrequency applications on silicon ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium

Authors : Alcotte, Reynald;

Subjects: Contact resistivity; Mocvd; Arsenides

Source: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01844072 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT005⟩.

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Dissertation/ Thesis

Metalorganic vapour phase epitaxy and characterization of III-As semiconductors on silicon substrate in a microelectronic platform ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

Authors : Cipro, Romain;

Subjects: Heteroepitaxy; Arsenides; Iii-V

Source: https://theses.hal.science/tel-01390505 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2016. Français. ⟨NNT : 2016GREAT049⟩.

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Dissertation/ Thesis

Metalorganic vapour phase epitaxy and characterization of III-As semiconductors on silicon substrate in a microelectronic platform ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

Authors : Cipro, Romain;

Subjects: Heteroepitaxy; Arsenides; Iii-V

Source: https://theses.hal.science/tel-01390505 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2016. Français. ⟨NNT : 2016GREAT049⟩.

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Growth of strained Ga 1-x In x P layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy: similarities and differences with the growth of strained arsenides

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Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET ; Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité

Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET ; Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité

Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET ; Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité

Metalorganic vapour phase epitaxy and characterization of III-As semiconductors on silicon substrate in a microelectronic platform ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

Metalorganic vapour phase epitaxy and characterization of III-As semiconductors on silicon substrate in a microelectronic platform ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

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