Item request has been placed!

Item request cannot be made.

Processing Request

نتائج البحث

Display Settings

النتائج لكل صفحة: 10

Sort By: Relevance

فلترة النتائج

إعادة تعيين خيارات الفبترة

Item request has been placed!

Item request cannot be made.

Processing Request

Academic Journal

(In,Mn)As quantum dots: Molecular-beam epitaxy and optical properties.

Authors : Bouravleuv, A. ; Nevedomskii, V.¹; Ubyivovk, E.²

Source: Semiconductors. Aug2013, Vol. 47 Issue 8, p1037-1040. 4p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Effect of an arsenic flux on the molecular-beam epitaxy of self-catalytic (Ga,Mn)As nanowire crystals.

Authors : Sibirev, N. ; Bouravleuv, A.; Trushkov, Yu.

Source: Semiconductors. Oct2013, Vol. 47 Issue 10, p1416-1421. 6p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Structure and surface morphology of SiGe layers grown on Si/sapphire by molecular beam epitaxy using a sublimation silicon source and gaseous germanium source.

Authors : Matveev, S.¹ ; Denisov, S.¹; Chalkov, V.¹

Source: Inorganic Materials. Aug2013, Vol. 49 Issue 8, p749-753. 5p. 5 Black and White Photographs, 1 Graph.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Antimony segregation in stressed SiGe heterostructures grown by molecular beam epitaxy.

Authors : Drozdov, M.¹; Novikov, A.; Yurasov, D.¹

Source: Semiconductors. Nov2013, Vol. 47 Issue 11, p1481-1484. 4p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

High-temperature photoluminescence of CdHgTe solid solutions grown by molecular-beam epitaxy.

Authors : Mynbaev, K.¹ ; Bazhenov, N.¹; Shilyaev, A.¹

Source: Technical Physics. Oct2013, Vol. 58 Issue 10, p1536-1539. 4p. 2 Charts, 2 Graphs.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Growth of high-quality ZnO thin films on ( $11\bar{2}0$) a-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy.

Authors : Ding, Ping¹; Pan, Xinhua ; Ye, Zhizhen¹

Source: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Sep2013, Vol. 112 Issue 4, p1051-1055. 5p. 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 4 Graphs.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

The effect of low-temperature annealing on the electrical properties of the p-type cadmium-mercury-tellurium heterostructures grown by molecular beam epitaxy.

Authors : Protasov, D. ; Novoselov, А.; Kombarov, D.

Source: Russian Physics Journal. Aug2013, Vol. 56 Issue 3, p313-318. 6p. 1 Chart, 3 Graphs.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Effect of the annealing temperature on the low-temperature photoluminescence in Si:Er light-emitting structures grown by molecular-beam epitaxy.

Authors : Andreev, B.¹; Sobolev, N.² ; Denisov, D.²

Source: Semiconductors. Oct2013, Vol. 47 Issue 10, p1333-1335. 3p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Surface morphology and crystallographic properties of GaAs films grown by the MBE process on vicinal Si(001) substrates.

Authors : Emelyanov, E.¹; Kokhanenko, A.² ; Pchelyakov, O.¹

Source: Russian Physics Journal. Jun2013, Vol. 56 Issue 1, p55-61. 7p. 3 Black and White Photographs, 3 Graphs.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Switching of ferroelectric polarization in epitaxial BaTiO3 films on silicon without a conducting bottom electrode.

Authors : Dubourdieu, Catherine¹; Bruley, John²; Arruda, Thomas M.³

Source: Nature Nanotechnology. Oct2013, Vol. 8 Issue 10, p748-754. 7p. 1 Diagram, 5 Graphs.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي