Item request has been placed!

Item request cannot be made.

Processing Request

نتائج البحث

Display Settings

النتائج لكل صفحة: 10

Sort By: Relevance

Filter

فلترة النتائج

إعادة تعيين خيارات الفبترة

Item request has been placed!

Item request cannot be made.

Processing Request

Academic Journal

ugusto y el mos maiorum en el Carmen saeculare de Horacio.

Authors : Martino, Luis M.¹

Source: Circe de Clásicos y Modernos. 2005/2006, Issue 10, p217-228. 12p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

On the Effect of Transverse Quantum Confinement on the Electrical Characteristics of a Submicrometer-Sized Tunnel MOS Structure.

Authors : Vexler, M. I.¹; Grekhov, I. V.¹ ; Shulekin, A. F.¹

Source: Semiconductors. Dec2005, Vol. 39 Issue 12, p1381-1386. 6p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Static and Dynamic Characteristics of an MOS-Controlled High-Power Integrated Thyristor.

Authors : Grekhov, I. V.¹; Mnatsakanov, T. T.²; Yurkov, S. N.²

Source: Technical Physics. Jul2005, Vol. 50 Issue 7, p896-903. 8p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

A Quasi-hydrodynamic Modification of the Uniform-Channel Approximation in MOS-Transistor Theory.

Authors : Gergel', V. A.¹; Yakupov, M. N.¹

Source: Semiconductors. Oct2005, Vol. 39 Issue 10, p1204-1209. 6p. 5 Diagrams.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Application of interference methods for determination of curvature radius in metal -- oxide -- semiconductor (MOS) structures.

Authors : RZODKIEWICZ, WITOLD¹; BOROWICZ, LECH¹

Source: Optica Applicata. 2005, Vol. 35 Issue 3, p523-527. 5p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Two MOS transimpedance amplifier on-chip structures for high-frequency applications.

Authors : Martínez, J.¹ ; Díaz, A.² ; Torres, A.²

Source: Ingeniería Electrónica. Automatica y Comunicaciones. 2005, Vol. 26 Issue 2-3, p3-8. 6p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Electric Fatigue in MOS Structures due to Lowering of the Potential Barrier during the Field Ionization of Insulator Atoms.

Authors : Savinov, I. S.¹

Source: Semiconductors. May2005, Vol. 39 Issue 5, p591-593. 3p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Luminescence Intensity Monitoring in a MOS Tunnel Structure with Inhomogeneous Thickness of the Insulator.

Authors : Tyaginov, S. E.¹; Asli, N.²; Vexler, M. I.¹

Source: Technical Physics Letters. Apr2005, Vol. 31 Issue 4, p336-338. 3p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Periodical

FINALLY ACTING HIS AGE, AT LEAST ONSCREEN.

Authors : Winters, Rebecca

Source: TIME Magazine. 8/29/2005, Vol. 166 Issue 9, p79-79. 1/4p. 1 Color Photograph.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

Academic Journal

Long-Time Head Makes Way for New Leader.

Authors : Kaveh, Mos

Source: Academic Leader. Jan2005, Vol. 21 Issue 1, p6-7. 2p.

تفاصيل العنوان

اقرأ على الانترنت اقرأ أكثر حفظ في قائمتي

نتائج البحث

فلترة النتائج

ugusto y el mos maiorum en el Carmen saeculare de Horacio.

On the Effect of Transverse Quantum Confinement on the Electrical Characteristics of a Submicrometer-Sized Tunnel MOS Structure.

Static and Dynamic Characteristics of an MOS-Controlled High-Power Integrated Thyristor.

A Quasi-hydrodynamic Modification of the Uniform-Channel Approximation in MOS-Transistor Theory.

Application of interference methods for determination of curvature radius in metal -- oxide -- semiconductor (MOS) structures.

Two MOS transimpedance amplifier on-chip structures for high-frequency applications.

Electric Fatigue in MOS Structures due to Lowering of the Potential Barrier during the Field Ionization of Insulator Atoms.

Luminescence Intensity Monitoring in a MOS Tunnel Structure with Inhomogeneous Thickness of the Insulator.

FINALLY ACTING HIS AGE, AT LEAST ONSCREEN.

Long-Time Head Makes Way for New Leader.

اتصل بنا

اتبع