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Formation de quelques arséniures métalliques par l'action de la pression ; Formation of Arsenides by Pressure

• Authors : Spring, Walthère

Subjects: Metals; compounds; Pressure

• Source: Bulletins de l'Académie Royale des Sciences, des Lettres et des Beaux-Arts de Belgique, V (2), 229-236 (1883)

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Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET ; Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité

• Authors : Cerba, Tiphaine;

Subjects: III-V materials; Trigate; Nanowires

• Source: https://theses.hal.science/tel-02092576 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT082⟩.

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Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité ; Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET

• Authors : Cerba, Tiphaine;

Subjects: Matériaux III-V; TriGate; Nanofils620

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Metalorganic vapour phase epitaxy of III-As semiconductors on silicon substrate and formation of ohmic contacts for photonic and radiofrequency applications on silicon ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium

• Authors : Alcotte, Reynald;

Subjects: Heteroepitaxy; Semiconductors III-V; Silicon

• Source: https://theses.hal.science/tel-01844072 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT005⟩.

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Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium ; Metalorganic vapour phase epitaxy of III-As semiconductors on silicon substrate and formation of ohmic contacts for photonic and radiofrequency applications on silicon

• Authors : Alcotte, Reynald;

Subjects: Hétéroépitaxie; Semiconducteurs III-V; Silicium620

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Metalorganic vapour phase epitaxy and characterization of III-As semiconductors on silicon substrate in a microelectronic platform ; Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

• Authors : Cipro, Romain;

Subjects: Heteroepitaxy; Arsenides; Iii-V

• Source: https://theses.hal.science/tel-01390505 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2016. Français. ⟨NNT : 2016GREAT049⟩.

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Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique ; Metalorganic vapour phase epitaxy and characterization of III-As semiconductors on silicon substrate in a microelectronic platform

• Authors : Cipro, Romain;

Subjects: Hétéroépitaxie; Arseniures; Iii-V620

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Matériaux semiconducteurs pour sources électroluminescentes et lasers

• Authors : Lebailly, J.

Subjects: Optical material; Semiconductor materials; Laser materials

• Source: ISSN: 0035-1687.

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Niveaux profonds dans les diodes électroluminescentes GaAs-GaAlAs

• Authors : Balland, B.

Subjects: Defect states; Deep level; Charge carrier trapping

• Source: ISSN: 0035-1687.

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5èmes Journées Nationales Microondes

• Authors : Salmer, Georges; Papiernik, Albert

Subjects: Integrated circuit; Congress; Modeling

• Source: ISSN: 0035-1687.

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