نتائج البحث

Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors

• Authors : Yilmaz, Kerim; University/Department: Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; ...

Subjects: model analític; GAA FET; efectes quàntics621.3

• Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

Analysis of the Resistive Switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications

• Authors : Maestro Izquierdo, Marcos; University/Department: Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica; ...

Subjects: Resistive-switching; Dispositius MOS; Dispositivos MOS621.3

• Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

MOS interface improvement based on boron treatments for high channel mobility SiC MOSFETs

• Authors : Cabello Fusarés, Maria; University/Department: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; ...

Subjects: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica621.3

• Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

Analysis of impact of nanoscale defects on variability in mos structures

• Authors : Couso Fontanillo, Carlos; University/Department: Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica; ...

Subjects: MOSFET; Variabilitat; Variabilidad621.3

• Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures

• Authors : Bayerl, Albin; University/Department: Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica; ...

Subjects: grafeno; AFM; Dieléctricos

• Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado

• Authors : Crespo Yepes, Albert; University/Department: Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica; ...

Subjects: Breakdown; CMos Reliabilith; High.k stacks621.3

• Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM: SiO2 i dielèctrics d'alta permitivitat

• Authors : Blasco Jiménez, Xavier; University/Department: Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica; ...

Subjects: Dielèctrics; CAFM; MOS

• Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

Compact modeling of multiple gate mos devices.

• Authors : Abd El Hamid, Hamdy Mohamed; University/Department: Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; ...

Subjects: compact modeling of multiple gate mos devices621.3

• Source: T.1514-2007TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I. Ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM

• Authors : Porti i Pujal, Marc; University/Department: Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica; ...

Subjects: Fiabilitat del SiO2; Dispositiu MOS; Ruptura dielèctrica

• Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

تفاصيل العنوان

Relacion, y traslado bien, y fielmente sacado de vna carta embiada a esta Corte ... La Sombra de Mos de la Forza se aparece a Gustavo Horn, prelo en Viena, y le cuenta el lastimoso suceso que tuvieron las armas de Francia en Fuente Rabia.

تفاصيل العنوان