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Multiscale modeling of ion implantation damage in silicon

• Authors : Kovač, Dalibor;

Subjects: Ionenimplantation/Silizium/Modellierung/Amorphisierungs-Prozess/Rutherford-Rückstreuung-Spectrometrie/Punktdefekte; Ion Implantation/modeling/amorphization/Rutherford Backscattering Spectrometry/Point Defects

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