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Conference

Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance

Subjects: Etching; Reactive Ion Etching; Silicon carbideLyon; France

  • Source: 3eme colloque sur les Matériaux du Génie Electriquehttps://hal.science/hal-046202483eme colloque sur les Matériaux du Génie Electrique, Dec 2005, Lyon, France

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