نبذة مختصرة : On the basis of a considerable experimental and computing material is found that the electronic surface condition of monocrystals of ferroelectrics- semiconductors, in particular adsorption of gases, significantly influences many parameters, which are connected with the presence of domain structure in such crystals. The quantum-chemical calculations, which have been carried out in EHM approach testify the influence of adsorption on the unipolarity of ferroelectrics samples, and last one - on the mechanism of molecules adsorption, energy of their binding with centers (atoms) of the surface, energy of dissociation and desorption kinetics of adsorbed molecules. The electronic processes at adsorption changing the value of polarization and mobility of domain walls influence coercive field and the time of a repolarizational, inductivity, mechanism and thermodynamic parameters of ferroelectrics phase change. The adsorption of dipole molecules on the surface of monocrystals natural (eigen) ferroelectrics Sn2P2S6 promotes forming a soliton-like domain structure. The results prove illegitimacy of partitioning of ferroelectrics- semiconductors properties in ferroelectrics phase on surface and volumetric.
На основе большого экспериментального и вычислительного материала показано, что электронное состояние поверхности монокристаллов сегнетоэлектриков-полупроводников, в частности адсорбция газов, существенно влияет на многие параметры, связанные с наличием в таких кристаллах доменной структуры. Квантово-химические расчеты, проведенные в приближении РМХ, свидетельствуют о влиянии адсорбции на величину униполярности сегнетоэлектрика, а последней - на механизм адсорбции молекул, энергию их связи с теми или иными центрами (атомами) поверхности, энергию диссоциации и кинетику десорбции адмолекул. Электронные процессы при адсорбции, изменяя величину поляризации и подвижность доменных стенок, влияют на коэрцитивное поле и время переполяризации, диэлектрическую проницаемость, механизм и термодинамические параметры сегнетоэлектрического фазового перехода, а адсорбция дипольных молекул на поверхности монокристаллов собственного сегнетоэлектрика Sn2P2S6 способствует формированию солитоноподобной доменной структуры. Результаты доказывают неправомерность для сегнетоэлектриков-полупроводников разделения их свойств в сегнетофазе на поверхностные и объемные.
На основі великого експериментального та обчислювального матеріалу показано, що електронний стан поверхні монокристалів сегнетоелектриків-напівпровідників, зокрема адсорбція газів, істотно впливає на багато параметрів, пов'язаних з наявністю в таких кристалах доменної структури. Квантово-хімічні розрахунки, проведені в наближенні РМХ, свідчать про вплив адсорбції на величину уніполярності сегнетоелектрика, а останній - на механізм адсорбції молекул, енергію їх зв’язку з тими чи іншими центрами (атомами) поверхні, енергію дисоціації і кінетику десорбції адмолекул. Електронні процеси при адсорбції, змінюючи величину поляризації і рухливість доменних стінок, впливають на коерцитивне поле і час переполяризації, діелектричну проникність, механізм і термодинамічні параметри сегнетоелектричного фазового переходу, а адсорбція дипольних молекул на поверхні монокристалів власного сегнетоелектрика Sn2P2S6 сприяє формуванню солітоноподобібної доменної структури. Результати доводять неправомірність для сегнетоелектриків-напівпровідників поділу їх властивостей в сегнетофазі на поверхневі і об'ємні.
Processing Request
No Comments.