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Multi-scale strategy for high-k/metal-gate UTBB-FDSOI devices modeling with emphasis on back bias impact on mobility

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP); Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES); Département Composants Silicium (DCOS); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI); Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA); Università degli Studi di Udine - University of Udine Italie; Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM ); Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM); Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ); Laboratoire Hubert Curien (LHC); Institut d'Optique Graduate School (IOGS)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Synopsys Inc.
    • بيانات النشر:
      HAL CCSD
      Springer Verlag
    • الموضوع:
      2013
    • Collection:
      Université Jean Monnet – Saint-Etienne: HAL
    • نبذة مختصرة :
      International audience ; Mobility in high-k/metal-gate Ultra-Thin Body and Box Fully Depleted SOI devices has been extensively investigated by means of multi-scale simulations and experimental data. Split-CV mobility measurements have been performed for various Interfacial Layer Equivalent Oxide Thickness allowing an investigation of the physical mechanisms responsible for the mobility degradation at highk/ Interfacial layer interface. The impact of the back bias on transport properties is investigated and mobility enhancement in the reverse regime (back gate inversion) is studied. A multi-scale simulation strategy is ranging from quantum Non-equilibrium Green's Functions to semi-classical Kubo Greenwood approach. These advanced solvers made possible a throughout calibration of empirical TCAD mobility models.
    • Relation:
      hal-00916912; https://hal.science/hal-00916912; https://hal.science/hal-00916912/document; https://hal.science/hal-00916912/file/JCEL.pdf
    • الرقم المعرف:
      10.1007/s10825-013-0532-1
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.E1C0D683