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Multi-scale strategy for high-k/metal-gate UTBB-FDSOI devices modeling with emphasis on back bias impact on mobility
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- المؤلفون: Nier, Olivier; Rideau, Denis; Niquet, Yan Michel; Monsieur, Frédéric; Nguyen, van Dai; Triozon, François; Cros, Antoine; Clerc, Raphael; C Barbé, Jean Charles; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Duchemin, Ivan; Smith, Leo; Silvestri, Luca; Nallet, Franck; Tavernier, Clément; Jaouen, Hervé; Selmi, Luca
- المصدر:
ISSN: 1569-8025.
- الموضوع:
- نوع التسجيلة:
article in journal/newspaper
- اللغة:
English
- معلومة اضافية
- Contributors:
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP); Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES); Département Composants Silicium (DCOS); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI); Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA); Università degli Studi di Udine - University of Udine Italie; Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM ); Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM); Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ); Laboratoire Hubert Curien (LHC); Institut d'Optique Graduate School (IOGS)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Synopsys Inc.
- بيانات النشر:
HAL CCSD
Springer Verlag
- الموضوع:
2013
- Collection:
Université Jean Monnet – Saint-Etienne: HAL
- نبذة مختصرة :
International audience ; Mobility in high-k/metal-gate Ultra-Thin Body and Box Fully Depleted SOI devices has been extensively investigated by means of multi-scale simulations and experimental data. Split-CV mobility measurements have been performed for various Interfacial Layer Equivalent Oxide Thickness allowing an investigation of the physical mechanisms responsible for the mobility degradation at highk/ Interfacial layer interface. The impact of the back bias on transport properties is investigated and mobility enhancement in the reverse regime (back gate inversion) is studied. A multi-scale simulation strategy is ranging from quantum Non-equilibrium Green's Functions to semi-classical Kubo Greenwood approach. These advanced solvers made possible a throughout calibration of empirical TCAD mobility models.
- Relation:
hal-00916912; https://hal.science/hal-00916912; https://hal.science/hal-00916912/document; https://hal.science/hal-00916912/file/JCEL.pdf
- الرقم المعرف:
10.1007/s10825-013-0532-1
- Rights:
info:eu-repo/semantics/OpenAccess
- الرقم المعرف:
edsbas.E1C0D683
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