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Simulation of Single Particle Displacement Damage in Silicon – Part III: First Principles Characterization of Defect Properties

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Département Electronique, Optronique et Signal (DEOS); Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace (ISAE-SUPAERO); Équipe Modélisation Multi-niveaux des Matériaux (LAAS-M3); Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS); Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J); Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3); Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP); Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Université de Toulouse (UT); Centre de Recherches Historiques de l'Ouest (CERHIO); Le Mans Université (UM)-Université d'Angers (UA)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Rennes 2 (UR2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); University of Nova Gorica; DAM Île-de-France (DAM/DIF); Direction des Applications Militaires (DAM); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA); Département de Physique Montréal; Université de Montréal (UdeM)
    • بيانات النشر:
      HAL CCSD
    • الموضوع:
      2017
    • Collection:
      Archive Ouverte de l'Université Rennes (HAL)
    • الموضوع:
      New Orleans; United States
    • نبذة مختصرة :
      International audience ; A first principles study of the defects generated by displacement cascades from previous Molecular Dynamics (MD) and kinetic Activation Relaxation Technique (k-ART) simulations [1,2] in bulk silicon is performed. Structural, energy and migration properties are evaluated using standard Density Functional Theory (DFT) calculations. Electronic properties are obtained through the application of the Many Body Perturbation Theory (MBPT) in the G 0 W 0 approximation. Electronic states introduced in the electronic structure of bulk silicon are then given. The obtained properties allow to get a first reconstruction of the signal generated by each defects. Here we particular focus on two types defects, the di-vacancy and the tri-interstitial, and we discuss their major contribution to Dark Current (DC) and to Dark Current Random Telegraph Signal (DC-RTS) respectively.
    • Relation:
      hal-01685635; https://hal.science/hal-01685635; https://hal.science/hal-01685635/document; https://hal.science/hal-01685635/file/NSREC2017_Article_FINAL.pdf
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.DD34C065