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- المؤلفون: Harrouche, Kathia; Medjdoub, F
- المصدر:
Nitride Semiconductor Technology: Power Electronics and Optoelectronic Devices ; https://hal.science/hal-03287288 ; Nitride Semiconductor Technology: Power Electronics and Optoelectronic Devices, 2020, ISBN 978-3-527-34710-0 ; e-ISBN 978-3-527-82525-7
- الموضوع:
- نوع التسجيلة:
book part
- اللغة:
English
- معلومة اضافية
- Contributors:
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN); Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF); WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN); Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA); Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA); Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL); PCMP CHOP; Renatech Network
- بيانات النشر:
HAL CCSD
- الموضوع:
2020
- Collection:
Université Polytechnique Hauts-de-France: HAL
- نبذة مختصرة :
International audience
- ISBN:
978-3-527-34710-0
3-527-34710-0
- Relation:
e-ISBN 978-3-527-82525-7; hal-03287288; https://hal.science/hal-03287288; https://hal.science/hal-03287288/document; https://hal.science/hal-03287288/file/chapter-Farid-final.pdf
- الدخول الالكتروني :
https://hal.science/hal-03287288
https://hal.science/hal-03287288/document
https://hal.science/hal-03287288/file/chapter-Farid-final.pdf
- Rights:
info:eu-repo/semantics/OpenAccess
- الرقم المعرف:
edsbas.A3E1DD3E
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