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Electrical properties of self-aligned gate-all-around polycrystalline silicon nanowires field effect transistors

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR); Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST); Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CentraleSupélec-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes 1 (UR1); Université de Rennes (UNIV-RENNES)
    • بيانات النشر:
      HAL CCSD
      Elsevier
    • الموضوع:
      2016
    • Collection:
      Archive ouverte HAL (Hyper Article en Ligne, CCSD - Centre pour la Communication Scientifique Directe)
    • نبذة مختصرة :
      International audience
    • Relation:
      hal-01240772; https://hal-univ-rennes1.archives-ouvertes.fr/hal-01240772; https://hal-univ-rennes1.archives-ouvertes.fr/hal-01240772/document; https://hal-univ-rennes1.archives-ouvertes.fr/hal-01240772/file/Electrical%20properties%20of%20self-aligned%20gate-all-around_accepted.pdf
    • الرقم المعرف:
      10.1016/j.mee.2015.11.001
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.A04E043B