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Reading reliability in 1S1R OTS+PCM devices based on Double-Patterned Self-Aligned structure

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI); Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA); Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA); Université Grenoble Alpes (UGA); Ampère, Département Bioingénierie (BioIng); Ampère (AMPERE); École Centrale de Lyon (ECL); Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE); ANR-10-LABX-0055,MINOS Lab,Minatec Novel Devices Scaling Laboratory(2010); European Project; European Project: 101007321,H2020-ECSEL-2020-1-IA-two-stage,StorAIge
    • بيانات النشر:
      CCSD
    • الموضوع:
      2024
    • Collection:
      HAL-CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
    • الموضوع:
      Parme; Italy
    • نبذة مختصرة :
      International audience ; This study investigates the reliability of the reading operation in 1S1R devices based on Ovonic Threshold Switching (OTS) selector and Phase-Change Memory (PCM) co-integrated in a Double-Patterned Self-Aligned (DPSA) structure targeting Crossbar applications. Upon reading, the SET state can face a threshold voltage (Vth) increase of more than 20% dependently on the reading current and on the number of reading operations, which can lead to a soft failure. We separate the contributions to this increase coming respectively from OTS and PCM, finally providing an assessment protocol for the reading reliability. We show how the reading performances allow to determine the maximum Crossbar array size depending on the target voltage Read Window Margin and current Memory Window.
    • Relation:
      info:eu-repo/grantAgreement//101007321/EU/Embedded storage elements on next MCU generation ready for AI on the edge/StorAIge
    • الدخول الالكتروني :
      https://hal.science/hal-04717271
      https://hal.science/hal-04717271v1/document
      https://hal.science/hal-04717271v1/file/antonelli_esref_2024_vf.pdf
    • Rights:
      http://creativecommons.org/licenses/by/ ; info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.89F1673D