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Shallow donor and DX state in Si doped AlN nanowires grown by molecular beam epitaxy

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Semi-conducteurs à large bande interdite (NEEL - SC2G); Institut Néel (NEEL); Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ); Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ); Université Grenoble Alpes (UGA); Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée (LEMMA ); Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM); Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA); Institut Universitari de Ciencia dels Materials (ICMUV); Universitat de València (UV); Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC); PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS)
    • بيانات النشر:
      HAL CCSD
      American Institute of Physics
    • الموضوع:
      2021
    • Collection:
      Université Grenoble Alpes: HAL
    • نبذة مختصرة :
      International audience ; Si doping of AlN nanowires (NWs) grown by plasma assisted molecular beam epitaxy was investigated with the objective of fabricating efficient AlN based deep ultra-violet light-emitting-diodes. The Si concentration ranged from 1016 to 1.8 × 1021 cm−3. Current–voltage measurements performed on nanowire ensembles revealed an Ohmic regime at low bias (below 0.1 V) and a space charge limited regime for higher bias. From temperature dependent current–voltage measurements, the presence of Si donors is evidenced in both shallow and deep DX states with an ionization energy of 75 and 270 meV, respectively. The role of Fermi level pinning on NWs sidewalls is discussed in terms of near surface depletion, inducing a favorable formation of shallow Si donors.
    • Relation:
      hal-03523128; https://hal.science/hal-03523128; https://hal.science/hal-03523128/document; https://hal.science/hal-03523128/file/SiAlN_Manuscript_Revised.pdf
    • الرقم المعرف:
      10.1063/5.0074454
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.6EE7F53F