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SiOxNy:B layers for ex-situ doping of hole-selective poly silicon contacts: A passivation study

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Institut National de L'Energie Solaire (INES); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR) (IPVF); École polytechnique (X)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP); Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-TOTAL FINA ELF-EDF (EDF)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF)-Air Liquide Siège Social; Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs); Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-CentraleSupélec-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); American Institute of Physics
    • بيانات النشر:
      HAL CCSD
    • الموضوع:
      2019
    • Collection:
      Archive ouverte HAL (Hyper Article en Ligne, CCSD - Centre pour la Communication Scientifique Directe)
    • الموضوع:
      Leuven; Belgium
    • نبذة مختصرة :
      International audience ; Passivating the contacts of crystalline silicon (c-Si) solar cells with a polycrystalline silicon layer (poly-Si) on a thin oxide (SiOx) film allows to decrease the recombination current at the metal/c-Si interface. In this study, an ex-situ doping method of poly-Si is proposed, involving a SiOxNy:B layer as a dopant source. In this study, we compare the properties (crystallinity of the deposited layer, doping profile and surface passivation properties) of the resulting ex-situ doped poly-Si(B) layer with our in-situ doped reference.
    • Relation:
      hal-02330432; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02330432; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02330432/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02330432/file/morisset_AIP_SiliconPV_2019.pdf
    • الرقم المعرف:
      10.1063/1.5123839
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.580CEB69