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Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE); Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS); Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J); Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3); Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP); Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Université de Toulouse (UT)
    • بيانات النشر:
      HAL CCSD
    • الموضوع:
      2006
    • Collection:
      Université Toulouse III - Paul Sabatier: HAL-UPS
    • الموضوع:
      Montpellier; France
    • نبذة مختصرة :
      National audience ; Dans ce papier, une étude est proposée afin de trouver une alternative à la technologie IGBT 1200 Volts avec une technologie MOS innovante. Quatre technologies sont présentées et comparée : L'UMOSFET, l'OBUMOSFET, le SJVDMOSFET et le DTMOSFET. Une étude comparative, à l'aide de simulations 2D, des structures de même tenue en tension nous a permis d'écarter certaines technologies, incapable de concurrencer les performances statiques d'un IGBT 1200Volts
    • Relation:
      hal-01005697; https://hal.science/hal-01005697; https://hal.science/hal-01005697/document; https://hal.science/hal-01005697/file/ISPS3D_06_THEOLIER.pdf
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.42B0634A