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Low-temperature joining of semiconductor substrates and thin layers on solid and flexible wafers by solid-liquid inter-diffusion bonding using a low-thickness Ni-Sn system

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT); Université de Sherbrooke (UdeS); Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL); École Centrale de Lyon (ECL); Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL); Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2); Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL); Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
    • بيانات النشر:
      HAL CCSD
    • الموضوع:
      2023
    • Collection:
      Université de Lyon: HAL
    • الموضوع:
      La Valletta; Malta
    • نبذة مختصرة :
      International audience ; In this study, we investigate the conditions of bonding by implementing Transient Liquid Phase of the metal technique in order to secure a flexible polyimide sheet to different semiconductor substrates (Si, SOI, InP). We test the TLP bonding using Ni and Sn as filler and parental metals at low thicknesses (from 300 nm/600 nm to 1.5 µm/3 µm, for Ni/Sn respectively). At these conditions, we highlight a discrepancy with the expected behavior, especially above 280°C.
    • Relation:
      hal-04566973; https://hal.science/hal-04566973; https://hal.science/hal-04566973/document; https://hal.science/hal-04566973/file/DTIP_paper.pdf
    • الرقم المعرف:
      10.1109/DTIP58682.2023.10267939
    • الدخول الالكتروني :
      https://hal.science/hal-04566973
      https://hal.science/hal-04566973/document
      https://hal.science/hal-04566973/file/DTIP_paper.pdf
      https://doi.org/10.1109/DTIP58682.2023.10267939
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.1230AD7A