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Molecular Beam Epitaxial Growth of Monolithic VCSELs on Germanium and Silicon

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Équipe Photonique (LAAS-PHOTO); Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS); Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université de Toulouse (EPE UT); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse); Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA); Centre de microcaractérisation Raimond Castaing (Centre Castaing); Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP); Service Instrumentation Conception Caractérisation (LAAS-I2C); Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM); Warsaw University of Technology Warsaw; Tampere University; ANR-15-IDEX-0002,UGA,IDEX UGA(2015); European Project: 101069490,HORIZON-CL4-2021-DIGITAL-EMERGING-01,HORIZON-CL4-2021-DIGITAL-EMERGING-01,PhotoGeNIC(2022)
    • بيانات النشر:
      CCSD
    • الموضوع:
      2026
    • Collection:
      Université Toulouse III - Paul Sabatier: HAL-UPS
    • الموضوع:
      Tampere; Finland
    • نبذة مختصرة :
      International audience ; We demonstrate room-temperature electrically pumped lasing from VCSELs grown on Ge(100) and Si(100). A two-step epitaxy using MOVPE buffers and MBE-grown VCSEL structures yields low-defect high-quality AlGaAs DBRs and active regions, monitored in-situ for precise growth control, showing good performance and scalable silicon platform integration.
    • Relation:
      info:eu-repo/grantAgreement//101069490/EU/Photonics on Germanium - New Industrial Consortium/PhotoGeNIC
    • الدخول الالكتروني :
      https://laas.hal.science/hal-05561728
    • Rights:
      https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
    • الرقم المعرف:
      edsbas.4EC0A282