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InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (0 0 1)-Si substrate by MOVPE for the fabrication of InAs FINFET

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  • معلومة اضافية
    • Contributors:
      Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ); Arkema (ARKEMA); Arkema (Arkema); Institut d’Electronique et des Systèmes (IES); Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR); Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies Orsay (C2N); Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI); Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA); Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC); Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ); ANR-10-LABX-0055,MINOS Lab,Minatec Novel Devices Scaling Laboratory(2010); ANR-15-IDEX-0002,UGA,IDEX UGA(2015)
    • بيانات النشر:
      CCSD
      Elsevier
    • الموضوع:
      2019
    • Collection:
      Université de Montpellier: HAL
    • نبذة مختصرة :
      International audience ; We demonstrated the fabrication of a densely packed InAs fins network for nanoelectronic applications. High crystalline quality GaSb/InAs layers have been grown directly on 300 mm nominal (0 0 1)-Si substrate. The InAs was then processed by etching step using a lithographic mask based on block copolymer to obtain sub-20 nm width fins. This block copolymer has been optimized to self-assemble into lamellar structure with a period of 30 nm, standing perpendicular to the substrate thanks to a neutral layer. STEM-HAADF characterization displays vertical sidewalls InAs fins with a width as low as 15 nm spaced by almost 10 nm. Early electrical characterizations exhibit a current flow through the connected fins.
    • الرقم المعرف:
      10.1016/j.jcrysgro.2018.12.014
    • الدخول الالكتروني :
      https://hal.science/hal-02055424
      https://hal.science/hal-02055424v1/document
      https://hal.science/hal-02055424v1/file/S0022024818306274.pdf
      https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.12.014
    • Rights:
      http://creativecommons.org/licenses/by-nc/ ; info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • الرقم المعرف:
      edsbas.91A90CB2